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    當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀變頻抗干擾介損測(cè)試儀

    變頻抗干擾介損測(cè)試儀

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    變頻抗干擾介損測(cè)試儀,具有CVT變比測(cè)量功能??蓽y(cè)量CVT變比、極性和相位誤差。

    產(chǎn)品型號(hào):
    更新時(shí)間:2024-10-24
    廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
    訪問(wèn)量:334
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    概況

    變頻抗干擾介損測(cè)試儀是一種新穎的測(cè)量介質(zhì)損耗角正切(tgδ)和電容值(Cx)的自動(dòng)化儀表??梢栽诠ゎl高電壓下,現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗角正切(tgδ)和電容值(Cx)。與西林電容電橋相比,具有操作簡(jiǎn)單、自動(dòng)測(cè)量、讀數(shù)直觀、無(wú)需換算、精度高、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。儀器內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)電容器和升電壓裝置,在“內(nèi)接"方式下使用,無(wú)需其它外接設(shè)備,便于攜帶。


    工作原理:

    在交流電壓作用下,電介質(zhì)要消耗部分電能,這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí),電介質(zhì)中的電壓和電流間成在相角差ψ,ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角,δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。tgδ值是用來(lái)衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。
    儀器測(cè)量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路(Cn)和一被試回路(Cx),如圖1所示。標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測(cè)量線路組成,被試回路由被試品和測(cè)量線路組成。測(cè)量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。
    通過(guò)測(cè)量電路分別測(cè)得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位差,再由單片機(jī)運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法,通過(guò)矢量運(yùn)算便可得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。儀器內(nèi)部已經(jīng)采用了抗干擾措施,保證在外電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量。


    特點(diǎn)

    1、具備CVT的自激法測(cè)試,一次接線,同時(shí)測(cè)量 C1、C2的電容和tgδ

    2、具有反接線低壓屏蔽功能,在CVT母線接地情況下,對(duì)C11可進(jìn)行不拆線10kV反接線介損測(cè)量

    3、具有外施電壓和外加CN的測(cè)量功能

    4、儀器測(cè)量準(zhǔn)確度高,可滿足油介損測(cè)量要求,因此只需配備標(biāo)準(zhǔn)油杯,和專用測(cè)試線即可實(shí)現(xiàn)油介損測(cè)量

    5、采用變頻技術(shù)來(lái)消除現(xiàn)場(chǎng)50Hz工頻干擾,即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測(cè)得可靠的數(shù)據(jù)

    6、過(guò)流保護(hù)功能,在試品短路或擊穿時(shí)儀器不受損壞

    7、內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源,便于現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試,減少現(xiàn)場(chǎng)接線

    8、儀器采用大屏幕液晶顯示器,測(cè)試過(guò)程通過(guò)漢字菜單提示既直觀又便于操作


    變頻抗干擾介損測(cè)試儀

    技術(shù)指標(biāo)

    1、環(huán)境溫度:0~40℃(液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照)

    2、相對(duì)濕度:30%~70%

    3、供電電源:電壓:220V±10%,頻率50±1Hz

    4、外形尺寸:長(zhǎng)×寬×高=4900mm×300mm×390mm

    5、重量:約18kg

    6、輸出功率:1KVA

    7、顯示分辨率:4位

    8、測(cè)量范圍:

    介質(zhì)損耗(tgδ):0-50%

    電容容量(Cx)和加載電壓:

    2.5KV檔:≤300nF(300000pF)

    3KV檔:≤200nF(200000pF)

    5KV檔:≤ 76nF( 76000pF)

    7.5KV檔:≤ 34nF( 34000pF)

    10 KV檔:≤ 20nF( 20000pF)

    9、基本測(cè)量誤差:

    介質(zhì)損耗(tgδ):1%±0.07%(加載電流20μA~500mA)正接

    介質(zhì)損耗(tgδ):2%±0.09%(加載電流 5μA~ 20mA)反接

    電容容量( Cx ):1.5%±1.5pF

    變頻抗干擾介損測(cè)試儀

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